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GP200包含DC~THZ測(cè)試所需的完整配置，能夠在最短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地完成測(cè)試要求。提供專業(yè)的測(cè)試方案，能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)的I-V、C-V、RF 等測(cè)試。
GP200SE 8英寸高低溫探針臺(tái)包含DC~THZ測(cè)試所需的完整配置，能夠在最短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地完成測(cè)試要求。提供專業(yè)的測(cè)試方案，能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)的I-V、C-V、RF 等測(cè)試。GP200SE擁有穩(wěn)定且可靠的測(cè)試平臺(tái)，保證測(cè)試中的扎針質(zhì)量。優(yōu)異的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)合分辨率＜2μm的針座系統(tǒng)，確保扎針的穩(wěn)定性。
硅光探針臺(tái),GP200-SIP系列8英寸探針臺(tái)包含硅光芯片的DC&RF&OO測(cè)試所需的完整配置，在短時(shí)間內(nèi)可準(zhǔn)確地完成芯片的參數(shù)測(cè)試與提取。 GP200擁有穩(wěn)定且可靠的測(cè)試平臺(tái)，保證測(cè)試中的扎針質(zhì)量。優(yōu)異的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)合分辨率＜2μm的針座系統(tǒng)，確保扎針的穩(wěn)定性。
GP半自動(dòng)探針臺(tái)，GP2000-SE 高低溫探針臺(tái)。機(jī)臺(tái)可輕松實(shí)現(xiàn)DC ~ THZ測(cè)量，提供芯片級(jí)I-V / C-V低噪聲測(cè)試系統(tǒng)方案。可應(yīng)用于I-V/C-V/P-IV測(cè)試、1/f噪聲測(cè)試、射頻/毫米波測(cè)試、功率測(cè)試、Load-Pull測(cè)試等。
大功率探針臺(tái),GP300探針臺(tái)讓您的芯片測(cè)試更加簡(jiǎn)單，機(jī)臺(tái)可輕松實(shí)現(xiàn)DC ~ THZ測(cè)量，提供芯片級(jí)I-V / C-V低噪聲測(cè)試系統(tǒng)方案。
進(jìn)口探針臺(tái),GP200探針臺(tái)包含DC~THZ測(cè)試所需的完整配置，能夠在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地完成測(cè)試要求。 提供專業(yè)的測(cè)試方案，能夠?qū)崿F(xiàn)高品質(zhì)的I-V、C-V、RF 等測(cè)試。
8英寸手動(dòng)探針臺(tái),射頻探針臺(tái),高壓探針臺(tái),MPI 8英寸射頻高低溫手動(dòng)探針臺(tái)具有ShielDEnvironment™的MPI TS200-SE探針系統(tǒng)可提供最大的EMI屏蔽，并允許進(jìn)行低噪聲的器件在片測(cè)量，從而可廣泛用于各種應(yīng)用，例如器件表征和建模，RF /微波，晶片級(jí)可靠性，故障分析，設(shè)計(jì)驗(yàn)證，和大功率。
高壓探針臺(tái)通過(guò)TS2000-DP，MPI提供了一個(gè)多功能且經(jīng)濟(jì)高效的探針臺(tái)，半自動(dòng)|MPI 8英寸高壓探針臺(tái)適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測(cè)量，測(cè)量能力高達(dá)3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和600 A（脈沖）。