一、應(yīng)用原理：
 

　　(1)探針卡(probecard)探針卡是自動(dòng)測(cè)試機(jī)與待測(cè)器件(DUT)之間的接口,在電學(xué)測(cè)試中通過探針傳遞進(jìn)出wafer的電流。
 

　　(2)探針臺(tái)(prober)因此測(cè)試對(duì)于檢驗(yàn)芯片的功能性來說是一項(xiàng)非常重要的工作,硅片測(cè)試能夠分辨一個(gè)好的芯片和一個(gè)有缺陷的芯片。RDON是VDMOS在導(dǎo)通狀態(tài)下漏源之間的導(dǎo)通電阻。
 

　　二、發(fā)展背景介紹：
 

　　(1)半導(dǎo)體檢測(cè)貫穿半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝三大流程。半導(dǎo)體制造工藝十分復(fù)雜，包含成百上千道工序，每一道出錯(cuò)都可能影響芯片功效。為了提高良率、控制成本，需要在重要的工序后借助半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶圓和芯片的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，及時(shí)將不符合規(guī)范的產(chǎn)品剔除。
 

　　(2)主要的檢測(cè)環(huán)節(jié)包括：設(shè)計(jì)驗(yàn)證、過程工藝控制檢測(cè)(PC測(cè)試)、CP測(cè)試(晶圓測(cè)試)、FT測(cè)試(成品測(cè)試)。
 

　　(3)其中設(shè)計(jì)驗(yàn)證、CP測(cè)試和FT測(cè)試可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體測(cè)試，又稱后道測(cè)試；過程工藝控制檢測(cè)則可稱為前道檢測(cè)。過程工藝控制檢測(cè)所用的設(shè)備種類較多，半導(dǎo)體測(cè)試的主要設(shè)備是測(cè)試機(jī)、分選機(jī)和探針臺(tái)。
 

　　三、作用過程：
 

　　(1)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)量，即對(duì)被觀測(cè)的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測(cè)；
 

　　(2)缺陷檢測(cè)，即在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中檢測(cè)是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對(duì)芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；
 

　　(3)其他小類型的檢測(cè)，如電阻率的測(cè)試，離子注入濃度檢測(cè)等。